vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT10M19BVFR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT10M19BVFR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 370W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 200nS
    • Входная емкость (Сiss): 5100
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.019 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT10M19BVR MOSFETN-Channel370W100V 51000.019 ОмN/A
    APT10M19SVR MOSFETN-Channel370W100V 51000.019 ОмN/A
    APT10M25BVFR MOSFETN-Channel300W100V 200nS43000.025 ОмN/A
    APT10M25BVR MOSFETN-Channel300W100V 43000.025 ОмN/A
    APT10M25SVR MOSFETN-Channel300W100V 43000.025 ОмN/A
    Яндекс.Метрика