vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT20M11JVR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT20M11JVR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 700W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 175A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 18000
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.011 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT20M11JVFR MOSFETN-Channel700W200V 175A250nS180000.011 ОмN/A
    APT20M13PVR MOSFETN-Channel625W200V 146A630nS180000.013 ОмN/A
    SML20J175 MOSFETN-Channel700W200V 175A22/78nS18000pF0.011 ОмSOT-227
    Яндекс.Метрика