|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT30M85BVFRОсновные параметры полевого транзистора APT30M85BVFR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 40A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 200nS
- Входная емкость (Сiss): 4100
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.085 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N7001 |
MOSFET | N-channel | 250mW | 240V | | | 45mA | /30nS | 30pF | 45 Ом | SOT23 | APT30M85BVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 300V | | | 40A | | 4100 | 0.085 Ом | N/A | SML30B40 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 300V | | | 40A | 12/43nS | 3970pF | 0.085 Ом | TO-247 | |
|
|
|