|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT5022AVRОсновные параметры полевого транзистора APT5022AVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 235W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 21A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 150nS
- Входная емкость (Сiss): 3700
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.22 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: SMD3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT5019HVR |
MOSFET | N-Channel | 250W | 600V | | | 24A | 200nS | 4400 | 0.19 Ом | SMD3 | APT5024AVR |
MOSFET | N-Channel | 200W | 500V | | | 18.5A | 140nS | 3600 | 0.24 Ом | SMD2 | APT5024BVFR |
MOSFET | N-Channel | 280W | 500V | | | 22A | 250nS | 3600 | 0.240 Ом | N/A | APT5024BVR |
MOSFET | N-Channel | 280W | 500V | | | 22A | | 3600 | 0.240 Ом | N/A | APT5026HVR |
MOSFET | N-Channel | 200W | 500V | | | 18.5A | 140nS | 3600 | 0.26 Ом | SMD2 | APT5028BVR |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 20A | | 2650 | 0.280 Ом | N/A | APT5028SVR |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 20A | | 2650 | 0.280 Ом | N/A | APT6032AVR |
MOSFET | N-Channel | 235W | 600V | | | 17.5A | 160nS | 3750 | 0.32 Ом | SMD3 | APT6035BVR |
MOSFET | N-Channel | 280W | 600V | | | 18A | | 3450 | 0.350 Ом | N/A | APT6035SVR |
MOSFET | N-Channel | 280W | 600V | | | 18A | | 3450 | 0.350 Ом | N/A | IRFM460 |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 19A | 35/130nS | 4300pF | 0.27 Ом | TO254 | SDF460JEA |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 21A | | | 0.27 Ом | N/A | SDF460JEB |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 21A | | | 0.27 Ом | N/A | SDF460JEC |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 21A | | | 0.27 Ом | N/A | SDF460JED |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 21A | | | 0.27 Ом | N/A | SML5025AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 500V | | | 20A | 28/92nS | 2950pF | 0.25 Ом | TO3 | SML5025HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 21A | 28/90nS | 2950pF | 0.25 Ом | TO258 | SML5030AN |
MOSFET | N-Channel | 230W | 500V | | | 18A | 28/92nS | 2600pF | 0.3 Ом | TO3 | SML5030HN |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 19A | 28/90nS | 2600pF | 0.3 Ом | TO258 | SML50A19 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 500V | | | 18.5A | 11/50nS | 3600pF | 0.24 Ом | TO-3 | SML50A21 |
MOSFET | N-Channel | 235W | 500V | | | 21A | 12/50nS | 3700pF | 0.22 Ом | TO-3 | SML50B20 |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 20A | 14/40nS | 2600pF | 0.28 Ом | TO-247 | SML50B22 |
MOSFET | N-Channel | 280W | 500V | | | 22A | 11/44nS | 3400pF | 0.24 Ом | TO-247 | SML50H19 |
MOSFET | N-Channel | 200W | 500V | | | 18.5A | | 3400pF | 0.26 Ом | TO-258 | SML50H24 |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 24A | | 4030pF | 0.19 Ом | TO-258 | SML50S20 |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 20A | 14/40nS | 2600pF | 0.27 Ом | D3PAK | SML60A18 |
MOSFET | N-Channel | 235W | 600V | | | 17.5A | 12/47nS | 3750pF | 0.32 Ом | TO-3 | SML60B18 |
MOSFET | N-Channel | 280W | 600V | | | 18A | 12/44nS | 3450pF | 0.35 Ом | TO-247 | SML60H20 |
MOSFET | N-Channel | 250W | 600V | | | 20A | | 4050pF | 0.27 Ом | TO-258 | SML60S18 |
MOSFET | N-Channel | 280W | 600V | | | 18A | 12/60nS | 3450pF | 0.35 Ом | D3PAK | SSH17N60A |
MOSFET | N-Channel | 278W | 600V | | | 17A | 166nS | 3050pF | 0.45 Ом | TO-3P | SSH22N50A |
MOSFET | N-Channel | 278W | 500V | | | 22A | 236nS | 3940pF | 0.25 Ом | TO-3P | STW20NA50 |
MOSFET | N-Channel | 250W | 500V | | | 20A | | | 0.270 Ом | TO-247 | |
|
|
|