|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT60M75PVRОсновные параметры полевого транзистора APT60M75PVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 625W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 60.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 700nS
- Входная емкость (Сiss): 16500
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.075 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT5010JN |
MOSFET | N-Channel | 520W | 500V | | | 48A | 240nS | 5570 | 0.100 Ом | N/A | APT50M60JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 500V | | | 71A | 475nS | 1640 | 0.060 Ом | N/A | APT50M85JVFR |
MOSFET | N-Channel | 500W | 500V | | | 50A | 300nS | 9000 | 0.085 Ом | N/A | APT50M85JVR |
MOSFET | N-Channel | 500W | 500V | | | 50A | | 9000 | 0.085 Ом | N/A | APT60M75JVR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 600V | | | 62A | | 16500 | 0.075 Ом | N/A | APT60M90JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 600V | | | 57A | 446nS | 1670 | 0.090 Ом | N/A | BFC13 |
MOSFET | N-Channel | 520W | 500V | | | 48A | 30/75nS | 6500pF | 0.10 Ом | SOT227 | BFC17 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 600V | | | 57A | 45/95nS | 14000pF | 0.090 Ом | SOT227 | BFC18 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 500V | | | 71A | 45/100nS | 14000pF | 0.060 Ом | SOT227 | SML5011AFN |
MOSFET | N-Channel | 595W | 500V | | | 49A | 34/75nS | 6500pF | 0.11 Ом | F-Pack | SML50J50 |
MOSFET | N-Channel | 500W | 500V | | | 50A | 18/56nS | 8200pF | 0.085 Ом | SOT-227 | SML60J62 |
MOSFET | N-Channel | 700W | 600V | | | 62A | 25/88nS | 16000pF | 0.075 Ом | SOT-227 | |
|
|
|