vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT60M75PVR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT60M75PVR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 625W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 60.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 700nS
    • Входная емкость (Сiss): 16500
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.075 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: N/A
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT5010JN MOSFETN-Channel520W500V 48A240nS55700.100 ОмN/A
    APT50M60JN MOSFETN-Channel690W500V 71A475nS16400.060 ОмN/A
    APT50M85JVFR MOSFETN-Channel500W500V 50A300nS90000.085 ОмN/A
    APT50M85JVR MOSFETN-Channel500W500V 50A 90000.085 ОмN/A
    APT60M75JVR MOSFETN-Channel700W600V 62A 165000.075 ОмN/A
    APT60M90JN MOSFETN-Channel690W600V 57A446nS16700.090 ОмN/A
    BFC13 MOSFETN-Channel520W500V 48A30/75nS6500pF0.10 ОмSOT227
    BFC17 MOSFETN-Channel690W600V 57A45/95nS14000pF0.090 ОмSOT227
    BFC18 MOSFETN-Channel690W500V 71A45/100nS14000pF0.060 ОмSOT227
    SML5011AFN MOSFETN-Channel595W500V 49A34/75nS6500pF0.11 ОмF-Pack
    SML50J50 MOSFETN-Channel500W500V 50A18/56nS8200pF0.085 ОмSOT-227
    SML60J62 MOSFETN-Channel700W600V 62A25/88nS16000pF0.075 ОмSOT-227
    Яндекс.Метрика