Справка

Основные параметры полевого транзистора BF991

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200mW
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 6V
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Входная емкость (Сiss): 2.1pF
  
• Производитель: PHILIPS
  
• Тип корпуса: TO-253
• Найти datasheet