Основные параметры полевого транзистора BF998WR

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 12V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 30mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 22mS
Входная емкость (Сiss): 2.1pF
Производитель: PHILIPS
Тип корпуса: SOT343R
Найти datasheet