vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUK9675-55

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора BUK9675-55

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 61W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 55V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.075 Ом
Производитель: PHILIPS
Тип корпуса: SOT404
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2SJ549	MOSFET	P-Channel	50W	60V		±20V	12A		600pF	0.16 Ом	LDPAK
BUK7575-55	MOSFET	N-Channel	61W	55V			10A			0.075 Ом	SOT78
BUK7675-55	MOSFET	N-Channel	61W	55V			10A			0.075 Ом	SOT404
IRF521	MOSFET	N-Channel	60W	60V			9.2A	-	-	0.27 Ом	TO220
IRFS9143	MOSFET	P-Channel	65W	60V			10.4A				TO-3P
PHB21N06LT	MOSFET	N-Channel	69W	55V			10A			0.075 Ом	SOT404
PHP21N06LT	MOSFET	N-Channel	69W	55V			10A			0.075 Ом	SOT78
SFI2955	MOSFET	P-Channel	49W	60V			9.4A	19nS	465pF	0.3 Ом	I2PAK
SFI9530	MOSFET	P-Channel	66W	60V			10.5A	38nS	800pF	0.3 Ом	I2PAK
SFI9Z24	MOSFET	P-Channel	49W	60V			9.7A	19nS	465pF	0.28 Ом	I2PAK
SFP2955	MOSFET	P-Channel	49W	60V			9.4A	19nS	465pF	0.3 Ом	TO-220
SFP9Z24	MOSFET	P-Channel	49W	60V			9.7A	19nS	465pF	0.28 Ом	TO-220
SFW2955	MOSFET	P-Channel	49W	60V			9.4A	19nS	465pF	0.3 Ом	TO-263
SFW9Z24	MOSFET	P-Channel	49W	60V			9.7A	19nS	465pF	0.28 Ом	TO-263
STK12N05L	MOSFET	N-Channel	50W	50V			12A			0.150 Ом	SOT-82
STK12N06L	MOSFET	N-Channel	50W	60V			12A			0.150 Ом	SOT-82
STK3055E	MOSFET	N-Channel	50W	60V			12A			0.150 Ом	SOT-82