|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ900Основные параметры полевого транзистора BUZ900 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 160V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): 500pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUZ900P |
MOSFET | N-Channel | 125W | 160V | | | 8A | - | 500pF | - Ом | TO247 | BUZ905 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 160V | | | 8A | 120/60nS | 734pF | - Ом | TO3 | BUZ905P |
MOSFET | P-Channel | 125W | 160V | | | 8A | 120/60nS | 734pF | - Ом | TO247 | IRF9643 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 150V | | | 9A | 45/30nS | | | TO-220 | IRFP9243 |
MOSFET | P-Channel | 125W | 150V | | | 9A | | | | TO-3P | |
|
|
|