vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUZ905DP
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BUZ905DP

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 160V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 16A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 150/110nS
    • Входная емкость (Сiss): 1900pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3PBL
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ900D MOSFETN-Channel250W160V 16A-950pF- ОмTO3
    BUZ900DP MOSFETN-Channel250W160V 16A-950pF- ОмTO3PBL
    BUZ905D MOSFETP-Channel250W160V 16A150/110nS1900pF- ОмTO3
    SFH9154 MOSFETP-Channel204W150V 18A130nS3000pF0.2 ОмTO-3P
    Яндекс.Метрика