Основные параметры полевого транзистора DM601

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 350mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 20mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 125°C
Входная емкость (Сiss): 5pF
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO-18
Найти datasheet