Основные параметры полевого транзистора ECG221

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 400mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 5.5pF
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO-72
Найти datasheet