Основные параметры полевого транзистора ECG455

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 3.5pF
Производитель: N/A
Тип корпуса: SOT-103
Найти datasheet