|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора F5021HОсновные параметры полевого транзистора F5021H - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.16 Ом
- Производитель: FUJI
- Тип корпуса: TO-220F5
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусF5001H |
MOSFET | N-Channel | 30W | 60V | | | 3A | | | 0.16 Ом | TO-220F5 | F5016H |
MOSFET | N-Channel | 30W | 60V | | | 3A | | | 0.16 Ом | TO-220F5 | F5038H |
MOSFET | N-Channel | 30W | 50V | | | 3A | | | 0.16 Ом | TO-220F5 | SFI9510 |
MOSFET | P-Channel | 32W | 60V | | | 3.6A | 10nS | 260pF | 1.2 Ом | I2PAK | |
|
|
|