Основные параметры полевого транзистора F5028

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 28A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.04 Ом
Производитель: FUJI
Тип корпуса: T-pack
Найти datasheet