Основные параметры полевого транзистора F5031

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 14A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.07 Ом
Производитель: FUJI
Тип корпуса: K-pack
Найти datasheet