Основные параметры полевого транзистора FDC5612

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.6W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.3A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.055 Ом
Производитель: FAIRCHILD
Тип корпуса: SuperSOT-6
Найти datasheet