|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDC6561ANОсновные параметры полевого транзистора FDC6561AN - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 0.9W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 2.1nS
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.095 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SuperSOT-6
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDG315N |
MOSFET | N-Channel | 0.48W | 30V | | | 2A | | | 0.120 Ом | SC70-6 | FDN337N |
MOSFET | N-Channel | 0.5W | 30V | | | 2.2A | | | 0.065 Ом | SuperSOT-3 | FDN359AN |
MOSFET | N-Channel | 0.5W | 30V | | | 2.7A | | | 0.046 Ом | SuperSOT-3 | FDN360P |
MOSFET | P-Channel | 0.5W | 30V | | | 2A | | | 0.08 Ом | SuperSOT-3 | NDH8502P |
MOSFET | P-Channel | 0.8W | 30V | | | 2.2A | | | 0.11 Ом | SUPERSOT-8 | NDH8504P |
MOSFET | P-Channel | 0.8W | 30V | | | 2.7A | | | 0.07 Ом | SUPERSOT-8 | RF1K49223 |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 2.5A | | | 0.150 Ом | N/A | RFT2P03L |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 2.1A | | | 0.150 Ом | N/A | |
|
|
|