Основные параметры полевого транзистора FDC658P

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.6W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.05 Ом
Производитель: FAIRCHILD
Тип корпуса: SuperSOT-6
Найти datasheet