Основные параметры полевого транзистора FDR8305N

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 0.8W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.022 Ом
Производитель: FAIRCHILD
Тип корпуса: SUPERSOT-8
Найти datasheet