Справка

Основные параметры полевого транзистора FDR8508P

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: P-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 0.8W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.05 Ом
  
• Производитель: FAIRCHILD
  
• Тип корпуса: SUPERSOT-8
• Найти datasheet