Основные параметры полевого транзистора FDS3570

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.019 Ом
Производитель: FAIRCHILD
Тип корпуса: SO8
Найти datasheet