Основные параметры полевого транзистора FDS3580

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.6A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.027 Ом
Производитель: FAIRCHILD
Тип корпуса: SO8
Найти datasheet