|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FSF150DОсновные параметры полевого транзистора FSF150D - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 25A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 140/170nS
- Входная емкость (Сiss): 3250pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.070 Ом
- Производитель: INTERSIL
- Тип корпуса: TO254AA
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUZ21 |
MOSFET | N-Channel | 105W | 100V | 100V | ±20V | 21A | 35/280nS | 1100pF | 0.1 Ом | TO-220 | FSF150R |
MOSFET | N-Channel | 125W | 100V | 100V | ±20V | 25A | 140/170nS | 3250pF | 0.070 Ом | TO254AA | TA17656 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 100V | 100V | ±20V | 25A | 140/170nS | 3250pF | 0.070 Ом | TO254AA | |
|
|
|