vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FSL130R
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FSL130R

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.230 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: TO254AA
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FRL130D MOSFETN-Channel 100V 8A 0.180 ОмN/A
    FRL130H MOSFETN-Channel 100V 8A 0.180 ОмN/A
    FRL130R MOSFETN-Channel 100V 8A 0.180 ОмN/A
    FSL130D MOSFETN-Channel 100V 8A 0.230 ОмTO254AA
    FSL13AOD MOSFETN-Channel 100V 9A 0.180 ОмTO254AA
    FSL13AOR MOSFETN-Channel 100V 9A 0.180 ОмTO254AA
    FSL913AOD MOSFETP-Channel 100V 7A 0.300 ОмTO254AA
    FSL913AOR MOSFETP-Channel 100V 7A 0.300 ОмTO254AA
    JANSR2N7272 MOSFETN-Channel 100V 8A 0.180 ОмN/A
    JANSR2N7395 MOSFETN-Channel 100V 8A 0.230 ОмN/A
    RFD7N10LE MOSFETN-Channel 100V 7A 0.300 ОмN/A
    RFD7N10LESM MOSFETN-Channel 100V 7A 0.300 ОмN/A
    RFP7N10LE MOSFETN-Channel 100V 7A 0.300 ОмN/A
    RFP8P10 MOSFETP-Channel 100V 8 A 0.400 ОмN/A
    Яндекс.Метрика