vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора H5N2001LS
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора H5N2001LS

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.13 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: LDPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    H5N2001LD MOSFETN-Channel75W200V ±30V20A 0.13 ОмLDPAK
    IRFS250 MOSFETN-Channel70W200V 20.7A TO-3P
    IRFS250A MOSFETN-Channel90W200V 21.3A123nS2300pF0.085 ОмTO-3PF
    IRFS252 MOSFETN-Channel70W200V 17.3A TO-3P
    Яндекс.Метрика