Основные параметры полевого транзистора HAF1003

Структура (технология): FET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): -16/+2.5V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 18A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.07 Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: LDPAK
Найти datasheet