Справка

Основные параметры полевого транзистора HAF2012

• Структура (технология): FET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): +16/-2.8V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.05 Ом
  
• Производитель: HITACHI
  
• Тип корпуса: LDPAK
• Найти datasheet