Справка

Основные параметры полевого транзистора HAT1033T

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: P-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.3W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±10V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.5A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Входная емкость (Сiss): 970pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.061 Ом
  
• Производитель: HITACHI
  
• Тип корпуса: SOP-8
• Найти datasheet