Основные параметры полевого транзистора HAT2058R

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 420pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 145 Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: SOP-8
Найти datasheet