Основные параметры полевого транзистора HAT2077R

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.21 Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: SOP8
Найти datasheet