Основные параметры полевого транзистора HEPF2007A

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 500mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 25V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 30mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
Производитель: N/A
Тип корпуса: MACRO-H
Найти datasheet