vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HUF75329P3
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора HUF75329P3

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 94W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 55V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 55V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 49A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 11/11nS
    • Входная емкость (Сiss): 1060nS
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.024 Ом
    • Производитель: INTERSIL
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    HUF75329G3 MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-247
    HUF75333G3 MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-247
    HUF75333P3 MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-220
    HUF75329S3 MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-262AA
    HUF75329S3S MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-263AB
    HUF75329S3ST MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-263AB
    75329S MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-263AB
    75329G MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-247
    75329P MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-220
    TA75329 MOSFETN-Channel94W55V55V±20V49A11/11nS1060nS0.024 ОмTO-220
    HUF75333S3 MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-262AA
    HUF75333S3S MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-263AB
    HUF75333S3ST MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-263AB
    75333S MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-263AB
    75333P MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-220
    75333G MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-247
    TA75333 MOSFETN-Channel111W55V55V±20V56A12/11nS1300pF0.016 ОмTO-247
    Яндекс.Метрика