Основные параметры полевого транзистора 2N7008

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 400mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 40V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 150mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 50pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 7.5 Ом
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO-226
Найти datasheet