Основные параметры полевого транзистора 2N7063

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 40V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 20/35nS
Входная емкость (Сiss): 1800pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO-218
Найти datasheet