Основные параметры полевого транзистора IRF510S

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 0.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.54 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: D2-PAK
Найти datasheet