Справка

Основные параметры полевого транзистора IRF612

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 43W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): -
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.6A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 38/34nS
  
• Входная емкость (Сiss): -
  
• Производитель: SAMSUNG
  
• Тип корпуса: TO-220
• Найти datasheet