Основные параметры полевого транзистора IRF613

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 43W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 150V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): -
Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.6A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 38/34nS
Входная емкость (Сiss): -
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet