Справка

Основные параметры полевого транзистора IRF636A

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 74W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 275V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.1A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 40nS
  
• Входная емкость (Сiss): 730pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.5 Ом
  
• Производитель: FAIRCHILD
  
• Тип корпуса: TO-220
• Найти datasheet