vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF641
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF641

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 150V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 18A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 98/122nS
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF643 MOSFETN-Channel125W150V 16A98/122nS TO-220
    IRFP241 MOSFETN-Channel125W150V 18A TO-3P
    IRFP243 MOSFETN-Channel125W150V 16A TO-3P
    IRL641 MOSFETN-Channel125W150V 16A TO-220
    Яндекс.Метрика