vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF645
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF645

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 124/154nS
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2N7237 MOSFETP-Channel125W200V 11A35/85nS1200pF0.51 ОмTO254
    IRF644A MOSFETN-Channel139W250V 14A61nS1230pF0.28 ОмTO-220
    IRF9240 MOSFETP-Channel125W200V 11A35/85nS1200pF0.58 ОмTO220SM
    IRFI644A MOSFETN-Channel139W250V 14A61nS1230pF0.28 ОмI2PAK
    IRFM9240 MOSFETP-Channel125W200V 11A35/85nS1200pF0.51 ОмTO254
    IRFP245 MOSFETN-Channel125W250V 13A TO-3P
    IRFP9240 MOSFETP-Channel125W200V 11A TO-3P
    IRFW644A MOSFETN-Channel139W250V 14A61nS1230pF0.28 ОмTO-263
    PHP18N20E MOSFETN-Channel150W200V 11A 0.18 ОмSOT78
    SDF9240 MOSFETP-Channel100W200V 11A 0.51 ОмN/A
    SFH9240 MOSFETP-Channel126W200V 11A59nS1220pF0.5 ОмTO-3P
    SFI9640 MOSFETP-Channel123W200V 11A59nS1220pF0.5 ОмI2PAK
    SFP9640 MOSFETP-Channel123W200V 11A59nS1220pF0.5 ОмTO-220
    SFW9640 MOSFETP-Channel123W200V 11A59nS1220pF0.5 ОмTO-263
    STV12N20 MOSFETN-Channel100W200V 12A 0.300 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика