Основные параметры полевого транзистора IRF730A

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 74W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 10/20nS
Входная емкость (Сiss): 600pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.0 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: TO-220AB
Найти datasheet