Основные параметры полевого транзистора IRF7521D1

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.3W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 20V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±12V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.4A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 5.7/15nS
Входная емкость (Сiss): 260pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.135 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: SO8
Найти datasheet