Основные параметры полевого транзистора IRF7555

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.25W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.3A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 10/60nS
Входная емкость (Сiss): 1066pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.055 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: SO8
Найти datasheet