Основные параметры полевого транзистора IRF7663

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.8W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 4.5V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.2A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 11/125nS
Входная емкость (Сiss): 2520pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.02 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: SO8
Найти datasheet