Основные параметры полевого транзистора IRF7805

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 4.5V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.011 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: SO-8
Найти datasheet