Справка

Основные параметры полевого транзистора IRF840AS

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 8.0A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 11/26nS
  
• Входная емкость (Сiss): 1018pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
  
• Производитель: IRF
  
• Тип корпуса: D2PAK
• Найти datasheet