Основные параметры полевого транзистора IRF9511

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 90/80nS
Производитель: SAMSUNG
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet