|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9512Основные параметры полевого транзистора IRF9512 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 90/80nS
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSFR9110 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 100V | | | 2.8A | 10nS | 260pF | 1.2 Ом | DPAK | SFS9510 |
MOSFET | P-Channel | 16W | 100V | | | 2.5A | 10nS | 260pF | 1.2 Ом | TO-220F | SFU9110 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 100V | | | 2.8A | 10nS | 260pF | 1.2 Ом | IPAK | |
|
|
|