vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF9632
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF9632

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 150/180nS
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF9230 MOSFETP-Channel75W200V 6.5A50/100nS700pF0.92 ОмTO3
    IRFP9230 MOSFETP-Channel75W200V 6.5A TO-3P
    IRFP9232 MOSFETP-Channel75W200V 5.5A TO-3P
    IRFS9242 MOSFETP-Channel65W200V 6.2A TO-3P
    SDF9230JAA MOSFETP-Channel75W200V 6.5A 0.8 ОмN/A
    SDF9230JAB MOSFETP-Channel75W200V 6.5A 0.8 ОмN/A
    SFI9630 MOSFETP-Channel70W200V 6.5A36nS740pF0.8 ОмI2PAK
    SFP9630 MOSFETP-Channel70W200V 6.5A36nS740pF0.8 ОмTO-220
    SFW9630 MOSFETP-Channel70W200V 6.5A36nS740pF0.8 ОмTO-263
    STK6N20 MOSFETN-Channel60W200V 6A 0.700 ОмSOT-82
    Яндекс.Метрика